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開放特許抄録集


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整理番号:0010 印刷用PDF
特許名称 高輝度金属酸化物蛍光構造体、その製造方法及び製造装置
発明者
略歴/業績他 
研究室概要
斎藤 秀俊、 大塩 茂夫、 佐藤 裕子

利用分野

蛍光表示管、EL素子、レーザー発振素子、陰極線ディスプレイ、プラズマディスプレイ、蛍光灯、等の電子材料や光材料、信号機等

発明の目的 プラズマディスプレイパネルや蛍光灯などに用いる微粒子からなる蛍光体の輝度を大幅に改善したウイスカーを有する金属酸化物蛍光構造体と、その製造方法、製造装置です。
概要 円近似断面径が0.01〜100μmで、円近似断面径に対する長さの比が1以上である金属酸化物のウイスカーを有する金属酸化物構造体において、ウイスカーがウイスカーを構成する母材とは異なる元素を含む賦活剤を含有するとともに高輝度蛍光特性を有します。
特徴・効果 濃度消光現象を生じずに、輝度が大幅に改善されたウイスカーを有する金属酸化物蛍光構造体を簡単に製造できます。更に、高輝度蛍光特性を有するウイスカー金属酸化物蛍光構造体は新規であり、蛍光表示管、EL素子、レーザー発振素子、陰極線ディスプレイ、プラズマディスプレイ、蛍光灯、信号機等の広汎な用途に使用することができます。
発明の詳細・
図面等

【特許請求の範囲】
円近似断面径が0.01〜100μmで、円近似断面径に対する長さの比が1以上である金属酸化物のウイスカーを基材表面に略垂直方向に形成した金属酸化物構造体において、ウイスカーがウイスカーを構成する母材とは異なる元素を含む賦活剤を母材中に均一に分散した状態で含有することにより、高輝度蛍光特性を有することを特徴とする金属酸化物蛍光構造体。

【詳細】
大気開放型CVD装置を使用し、以下の手順によりシリコン単結晶基板面上に、Eu:Y2O3ウイスカー密集構造体を作製しました。
金属酸化物ウイスカーを構成する母材の気化器内にY(C11H19O2)3(C11H19O2=DPM)を仕込み、異種元素の気化器内にEu(DPM)3を仕込んだ後に、母材の気化器を220℃、異種元素の気化器を200℃に加熱し、それぞれ流量1.2l/min及び流量0.5〜1.15l/minの窒素ガスで原料混合器に輸送します。原料混合器内のコイル状加熱混合器により220℃に加熱された原料ガスは、ノズルから加熱台上で650℃に加熱された厚さ0.5mmのシリコン単結晶(001)面に、大気圧開放下で吹き付けると、原料ガスは、大気中で熱分解しEu:Y2O3ウイスカーとしてシリコン単結晶基板上に堆積します。

装置の概要
金属酸化物蛍光体製造装置の概要図
ライセンス情報
  • 特許登録番号:第3769609号
  • 登録日:H18年2月17日(2006年)
  • 権利満了日:H33年11月6日(2021年)
  • 実施許諾:可
  • 権利譲渡:否
事業化情報
  • 実施実績:無し
  • 許諾実績:無し
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