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開放特許抄録集


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整理番号:0012 印刷用PDF
特許名称 基材表面に被膜を形成する反応を促進する方法及び該方法に使用する装置
発明者
略歴/業績他 
研究室概要
斎藤 秀俊

利用分野

基材表面に酸化物や水酸化物膜を形成する各種電子材料

発明の目的 大気開放型CVD法で、基材表面に酸化物又は水酸化物膜を形成する化学反応を促進する方法です。
概要 気化させた原料を、キャリヤーガスとともに大気開放下に加熱された基材表面に吹付けてその表面に酸化物又は水酸化物膜を堆積する大気開放型CVD法であって、基材をとりまく反応空間に沿面放電プラズマが生じるように電界を印加して、基材表面に対する被膜形成反応を促進させます。
特徴・効果 基材の反応空間に沿面放電プラズマが生じるように電界を印加することで、基材表面に酸化物や水酸化物膜を形成する化学反応を促進でき、特に基材温度200℃以下で酸化物又は、水酸化物膜を効率良く形成できるので、非耐熱性基材への酸化物膜及び水酸化物の高速堆積が可能となります。
発明の詳細・
図面等

【特許請求の範囲】
気化させた原料をキャリヤーガスとともに大気開放下に加熱された基材表面に吹付けて基材表面に酸化物又は水酸化物膜を堆積する大気開放型化学気相析出法において、一対の金属電極間に誘電体層を介在させた電界印加手段を使用して基材をとりまく反応空間に沿面放電プラズマが生じるように電界を印加するとともに、少なくとも一方の電極に隙間を設け、該隙間から気化させた原料及びキャリヤーガスを基材表面に供給することを特徴とする基材表面に被膜を形成する反応を促進する方法。

【詳細】
大気開放型CVD法による基材の反応空間場に、沿面プラズマが生じるように電界を印加する際に、基材温度200℃以下にすることで基材表面に酸化物や水酸化物膜を形成のための化学反応を促進できます。
また、印加する電界としては直流電界又は交番電界が好ましく、電界の強度は0.1〜100000V/mm程度で、特に100〜50000V/mm程度がよく、さらに、電界印加装置を直流高電圧電源や、低周波又は高周波高圧電源にするとよいです。

装置の概要
大気開放型CVD装置の概要図
ライセンス情報
  • 特許登録番号:第3837496号
  • 登録日:H18年8月11日(2006年)
  • 権利満了日:H34年3月7日(2022年)
  • 実施許諾:可
  • 権利譲渡:否
事業化情報
  • 実施実績:無し
  • 許諾実績:無し
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