半導体工学研究室

技術シーズカテゴリー
ナノテクノロジー・材料
キーワード
触媒反応を用いた薄膜作成・評価技術ナノ構造形成・制御MEMS・NEMS量子ドット

研究室教職員

安井 寛治

安井 寛治YASUI Kanji

電気電子情報

教授

TEL:
0258-47-9502
FAX:
0258-47-9500

専門分野

1. 物性:電子材料、電子デバイス

研究分野

1.半導体デバイス形成用ヘテロエピタキシャル成長過程の原子スケール解析
2.歪み構造を利用したSiC、Geナノドットの形成と量子構造デバイスへの応用
3.触媒反応を利用したCVD法による高品位半導体結晶成長・デバイス作製技術

主要設備

超高真空対応走査型トンネル顕微鏡(UHV-STM)、
反射高エネルギ-電子線回折装置(RHEED)、
CVD装置、高周波マグネトロンスパッタ装置、

得意とする技術

1.半導体表面界面構造の評価(STM,RHEED,Q-Mass)
2.プラズマパラメータ制御による新規プラズマCVD、スパッタ法の開発
3.金属触媒体表面での分解反応を用いたCVD技術

交流を求めたい分野

1.STM、RHEEDを用いた薄膜成長過程その場観察技術と他の解析手法との融合
2.プラズマパラメーターを精密制御する新しいプラズマ発生装置の開発
3.金属触媒体の表面反応を用いた半導体薄膜の成長、低融点基板上へのコーティング技術

知的財産等

ケイ素基板上に立方晶炭化ケイ素結晶膜を形成する方法(特開2006-036613)
窒化物半導体薄膜を有するSi基板の製造方法(特願2006-231494)
ZnO透明導電膜及びその製造方法(特願2006-184089)

メッセージ

今後プラスチック等の低融点基板上にディスプレイデバイス等の種々の電子デバイスが搭載される時代が来ようとしています。プラズマパラメータを制御したスパッタ法や金属触媒体表面での分解反応を用いたCVD法は、荷電粒子の入射を極力抑制したり、無くすことが出来、活性な原子やプリカーサを高密度に供給できるためガラスやプラスチック上に髙品位の半導体、透明導電膜を堆積できる新規な低温成膜技術です。この手法を発展させて応用分野を広げるべく研究を続けております。

  • 図1 超高真空対応走査型トンネル顕微鏡システム図1 超高真空対応走査型トンネル顕微鏡システム
  • 図2 Hot- mesh CVD法により作製したSiCO基板上に形成したMEMS構造図2 Hot- mesh CVD法により作製したSiCO基板上に形成したMEMS構造
  • 図3 Hot-mesh CVD装置図3 Hot-mesh CVD装置
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