酸化物膜の構造を制御する方法及び該方法に使用する装置

気化させた原料をキャリヤーガスとともに大気開放下で加熱された基材表面に吹付けて、基材表面に酸化物膜を堆積する大気開放型化学気相析出法において、反応空間場に電界を印加して基材表面に形成する酸化物膜の構造を制御します。

金属酸化物構造体、その製造方法及び製造装置

円近似断面径が０.01～100μｍで、円近似断面径に対する長さの比が１以上である金属酸化物のウイスカーを有する金属酸化物構造体において、ウイスカーがウイスカー内部にウイスカーの長軸方向に沿ってウイスカーを構成する母材とは異なる元素添加によって得られる母材組成とは異なる組成の強化層を有します。

電気放出材料

金属酸化物の針状体からなる電子放出材料で、Ｎ－Ｈ終端を含有するアモルファス或いは微結晶窒化炭素膜で、特に窒化炭素膜の赤外線吸収スペクトルにおけるＮ－Ｈ終端の吸収面積がＣ－Ｈ終端の吸収面積以上の窒化炭素膜を導電性の基材表面に形成します。

可逆的に水素を吸蔵放出する材料及び該材料を充填した水素吸蔵装置

水素、炭素及び窒素を構成原子とし、材料中に3～60原子％の窒素を含有するアモルファスないし微結晶水素化窒化炭素によって、可逆的に水素を吸蔵放出する材料を構成します。

高輝度金属酸化物蛍光構造体、その製造方法及び製造装置

円近似断面径が0.01～100μｍで、円近似断面径に対する長さの比が１以上である金属酸化物のウイスカーを有する金属酸化物構造体において、ウイスカーがウイスカーを構成する母材とは異なる元素を含む賦活剤を含有するとともに高輝度蛍光特性を有します。

基材表面に被膜を形成する反応を促進する方法及び該方法に使用する装置

気化させた原料を、キャリヤーガスとともに大気開放下に加熱された基材表面に吹付けてその表面に酸化物又は水酸化物膜を堆積する大気開放型ＣＶＤ法であって、基材をとりまく反応空間に沿面放電プラズマが生じるように電界を印加して、基材表面に対する被膜形成反応を促進させます。

α－不斉炭素を有するβ－ケト化合物の製造方法

金属触媒の存在下に、有機溶媒中で、アクリル酸誘導体、ハロゲン化アルキル、及び酸無水物を反応させて、α位の炭素原子が２個の異なるアルキル基で置換されたα-不斉炭素を有するβ-ケト化合物を効率良く安定に製造します。

固体高分子電解質及びその製造方法

酸性基を有する高分子と塩基性基を有する高分子で形成されたポリイオンコンプレックスからなり、酸性基がスルホン酸基、カルボキシル基又はリン酸基で、塩基性基が含窒素基です。

熱電変換素子

薄膜のＰ型熱電素子と薄膜のＮ型熱電素子とでなる熱電変換モジュールの両面に、２種類以上の熱伝導率の異なる柔軟性を有したフィルム状基板を設け、前記基板の外面の一部分に熱伝導率の高い材料が位置するように構成します。

ポリフルオロベンゾキノン類の製造方法

ポリフルオロベンゼンを、（式中、Ｒ１は水素原子、ハロゲン原子、又はＯＲ２を表し、Ｒ２は炭素数１～５のアルキル基を表す。）トリフルオロ酢酸とハロゲン化炭化水素（例えば、塩化メチレン）との混合溶媒中にて陽極酸化することでポリフルオロベンキノン類を製造できます。

硬質窒化炭素膜の形成方法

シアン化合物を含む原料ガスをプラズマ化することにより活性化し、基板上に窒化炭素膜を形成する際に、パルス周期が0.1～100000秒の高周波パルスをon／off比50／50～80／20で印加して硬質窒化炭素膜を形成します。 なお、印加する高周波パルスのバイアス電圧は－50～－200Vが好適です。

表面に有機物被膜を形成した金属超微粒子の製造方法

有機物を塗布した金属細線に0.1～50μｓの間パルス電流を通電し、発生した蒸気を不活性気体中で凝結させることによって平均粒径が5～100nmで表面に有機物被膜を形成した金属超微粒子を製造します。

精密配向多結晶六方晶酸化亜鉛焼結体の製造方法

非強磁性体セラミックス結晶粒子を溶媒に分散させ、得られたスラリーに回転磁場を印加して非強磁性体粒子を配向させた後乾燥固化させて成形体を作製する。 次いで、得られた成形体を酸素含有雰囲気中で焼結化させます。これにより、それぞれの配向度を示すロットゲーリングファクターが0.05～0.99の精密配向多結晶セラミックス焼結体が作製できます。

高硬度材料

高硬度材料の組成として、硬質被膜中のマグネシウムの含有量が、硬質被膜を形成する金属元素を基準として30～50原子％で、マグネシウム原子対酸素原子の比が約1：0.3～1：0.8としたもので、基材表面に、マグネシウム及び酸素を含有するＣｒＮ型の窒化クロムからなる岩塩型結晶構造を形成しており、その硬度はビッカース硬さで3000～3900Hvの硬質被膜を形成しています。

ガラス材料の加工方法

特定のガラス形成酸化物と、アルカリ金属、アルカリ土類金属、遷移元素及び希土類元素中少なくも１種とを含有するガラス母体に、チタン、鉄、ニッケル、コバルト、マンガン、バナジウム、銅のうちの少なくとも１種を添加したガラスの表面または内部に局所的な異質層を形成した後、エッチング剤により前記異質層又は該異質層の周囲部分を除去する加工方法です。

スパッターターゲット、スパッター装置、スパッター方法及び多層膜

主ターゲットと、該主ターゲット上に補助ターゲットを載置すると共に、前記補助ターゲットは、添加材料と、この添加材料を主ターゲットから離間させるため、上面が開口した容器状の離間手段を用います。

カルボニル基に対する水素化用触媒、及びその製造方法、並びに該触媒を使用する不飽和アルコールの製造方法

この発明は、酸素を含有するガリウム化合物からなる担体上に触媒成分としてルテニウム等の貴金属を担持して水素化用触媒を構成します。 この場合、ガリウム化合物としては、オキシ水酸化ガリウム、酸化ガリウム、リン酸ガリウム等を用することができ、これらのガリウム化合物担体上に0.1～10wt%のルテニウムが担持された水素化用触媒を用います。

光による水分解触媒及びその製造方法

亜鉛、マグネシウム、ベリリウムから選択された金属原子を添加したｐ型窒化ガリウム又はｐ型窒化ガリウムインジウムに、酸化ルテニウム、酸化ニッケル、酸化コバルト、酸化鉄、酸化クロム、酸化ロジウム、酸化イリジウムから選択された助触媒を担持して合成します。

リチウム二次電池正極材料及びその製造方法

所定割合のLi2Oと、Fe2O3と、P2O5と、さらにMgO、TiO2、V2O5、MnO2、Co3O4、NiO、Nb2O5、MoO3、WO3及び希土類酸化物から選ばれる少なくとも1種の原料を所定割合で混合し、これを溶融、冷却して前駆体ガラスを作製します。 そして、ガラス転移温度またはそれ以上の温度で熱処理、又はレーザ照射で加熱することによりNASICON型、オリビン型、スピネル型及びこれらの固溶体からなるリチウム二次電池正極材料を得ます。

水分解用光触媒、並びに該光触媒の製造方法

従来は、水を水素と酸素に完全分解できるような高い光触媒機能を持つ触媒はありませんでしたが、本発明では酸化セリウムに、カルシウム、ストロンチウム、イットリウム、ランタンからなる群から選択された異種元素を添加し、さらに助触媒として酸化ルテニウム又は白金を担持することにより、従来より高い光触媒機能を有する光触媒となります。

膜電極接合体及び膜電極接合体の製造方法並びに固体高分子形燃料電池

平坦な台座上に電子伝導性材料からなる基板を載置し、その上に電解質膜を載置し、この状態で噴霧液吐出用のノズルから電解質膜に向けて噴霧液を噴霧します。 これにより、電解質膜のイオン伝導ドメインに対応する表面部位には電極触媒が施されます。

電極及びその製造方法

電極触媒として、金属及び溶媒を含む噴霧液を静電噴霧法によってガス拡散電極に直接噴霧して、この電極の一面に電極触媒を付着させる技術です。

溶液プラズマ反応装置及び該装置を使用したナノ材料の製造方法

特殊形状の高周波電極を使用したプラズマ発生装置を使い、プラズマを反応槽に導入することで、ナノ粒子からなる被膜を反応液中の基板表面に製造します。

リチウムイオン二次電池用正極材料およびその製造方法

メタリン酸リチウム（リンとリチウムとの複合酸化物）と遷移金属化合物を原料として、所定のモル比で調合した後、還元雰囲気下又は還元剤を添加した状態で600～700℃にて焼成します。 これにより、オリビン型LiMPO4結晶（M=Fe, Mn, Co, Ni）の結晶化ガラス粉末を得ることができます。 この合成プロセスでは電子伝導性を向上させる導電助剤を効率よく複合化できるため、熱安定性に優れながら導電性の高いリチウムイオン二次電池正極材料を得ることができます。

蛋白質フリー天然ゴム及びそのラテックスとそれらの製造方法

天然ゴムラテックスに蛋白質変性剤、界面活性剤および極性有機溶媒を添加し、当該ラテックス中のアレルゲン性蛋白質を変性処理した後に除去します。 この方法により、ＲＲＩＭ試験法で測定した窒素含有率は０．００１％以下、改良ローリー法で測定した天然ゴムラテックスを乾燥して得られる固形ゴム中の蛋白質量は、０．５μｇ／ｇ以下のレベルの蛋白質フリー天然ゴムラテックスが得られます。

二酸化炭素還元装置及び二酸化炭素還元方法

電解部のカソードに二酸化炭素と不活性ガス混合物を供給し、かつ、第１ガス中の二酸化炭素と不活性ガスとの濃度比を制御するするカソード反応物供給手段と、アノードに反応物を供給するアノード反応物供給手段と、該カソード反応物供給手段は、二酸化炭素を含む第１ガスの流量を制御する第１ガス流量制御手段と不活性ガスの流量を制御する第２ガス流量制御手段を有し 前記カソード反応物供給手段は、前記濃度比を、二酸化炭素濃度：不活性ガス濃度の割合で０：１００～６０：４０の範囲内で変動するように制御する。