開放特許抄録集化学関係

整理番号:0012

基材表面に被膜を形成する反応を促進する方法及び該方法に使用する装置

利用分野

基材表面に酸化物や水酸化物膜を形成する各種電子材料

発明者

斎藤　秀俊

発明の目的

大気開放型ＣＶＤ法で、基材表面に酸化物又は水酸化物膜を形成する化学反応を促進する方法です。

概要

気化させた原料を、キャリヤーガスとともに大気開放下に加熱された基材表面に吹付けてその表面に酸化物又は水酸化物膜を堆積する大気開放型ＣＶＤ法であって、基材をとりまく反応空間に沿面放電プラズマが生じるように電界を印加して、基材表面に対する被膜形成反応を促進させます。

特徴・効果

基材の反応空間に沿面放電プラズマが生じるように電界を印加することで、基材表面に酸化物や水酸化物膜を形成する化学反応を促進でき、特に基材温度200℃以下で酸化物又は、水酸化物膜を効率良く形成できるので、非耐熱性基材への酸化物膜及び水酸化物の高速堆積が可能となります。

発明の詳細・図面等

【特許請求の範囲】

気化させた原料をキャリヤーガスとともに大気開放下に加熱された基材表面に吹付けて基材表面に酸化物又は水酸化物膜を堆積する大気開放型化学気相析出法において、一対の金属電極間に誘電体層を介在させた電界印加手段を使用して基材をとりまく反応空間に沿面放電プラズマが生じるように電界を印加するとともに、少なくとも一方の電極に隙間を設け、該隙間から気化させた原料及びキャリヤーガスを基材表面に供給することを特徴とする基材表面に被膜を形成する反応を促進する方法。

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【詳細】

大気開放型ＣＶＤ法による基材の反応空間場に、沿面プラズマが生じるように電界を印加する際に、基材温度200℃以下にすることで基材表面に酸化物や水酸化物膜を形成のための化学反応を促進できます。

また、印加する電界としては直流電界又は交番電界が好ましく、電界の強度は0.1～100000V/mm程度で、特に100～50000V/mm程度がよく、さらに、電界印加装置を直流高電圧電源や、低周波又は高周波高圧電源にするとよいです。

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装置の概要