酸化物膜の構造を制御する方法及び該方法に使用する装置

気化させた原料をキャリヤーガスとともに大気開放下で加熱された基材表面に吹付けて、基材表面に酸化物膜を堆積する大気開放型化学気相析出法において、反応空間場に電界を印加して基材表面に形成する酸化物膜の構造を制御します。

金属酸化物構造体、その製造方法及び製造装置

円近似断面径が０.01～100μｍで、円近似断面径に対する長さの比が１以上である金属酸化物のウイスカーを有する金属酸化物構造体において、ウイスカーがウイスカー内部にウイスカーの長軸方向に沿ってウイスカーを構成する母材とは異なる元素添加によって得られる母材組成とは異なる組成の強化層を有します。

電気放出材料

金属酸化物の針状体からなる電子放出材料で、Ｎ－Ｈ終端を含有するアモルファス或いは微結晶窒化炭素膜で、特に窒化炭素膜の赤外線吸収スペクトルにおけるＮ－Ｈ終端の吸収面積がＣ－Ｈ終端の吸収面積以上の窒化炭素膜を導電性の基材表面に形成します。

可逆的に水素を吸蔵放出する材料及び該材料を充填した水素吸蔵装置

水素、炭素及び窒素を構成原子とし、材料中に3～60原子％の窒素を含有するアモルファスないし微結晶水素化窒化炭素によって、可逆的に水素を吸蔵放出する材料を構成します。

高輝度金属酸化物蛍光構造体、その製造方法及び製造装置

円近似断面径が0.01～100μｍで、円近似断面径に対する長さの比が１以上である金属酸化物のウイスカーを有する金属酸化物構造体において、ウイスカーがウイスカーを構成する母材とは異なる元素を含む賦活剤を含有するとともに高輝度蛍光特性を有します。

レーザ用光学媒質、レーザ、及びレーザ用光学媒質の製造方法

従来の半導体レーザは、母体の光学遷移を利用するため、光学利得が非常に大きいという利点はありますが、母体固有の発振波長でしか発振することができないという問題があります。 本発明は、可視域で大きな光学利得と、波長可変性とを有する新規なレーザで多方面に利用できます。

基材表面に被膜を形成する反応を促進する方法及び該方法に使用する装置

気化させた原料を、キャリヤーガスとともに大気開放下に加熱された基材表面に吹付けてその表面に酸化物又は水酸化物膜を堆積する大気開放型ＣＶＤ法であって、基材をとりまく反応空間に沿面放電プラズマが生じるように電界を印加して、基材表面に対する被膜形成反応を促進させます。

α－不斉炭素を有するβ－ケト化合物の製造方法

金属触媒の存在下に、有機溶媒中で、アクリル酸誘導体、ハロゲン化アルキル、及び酸無水物を反応させて、α位の炭素原子が２個の異なるアルキル基で置換されたα-不斉炭素を有するβ-ケト化合物を効率良く安定に製造します。

固体高分子電解質及びその製造方法

酸性基を有する高分子と塩基性基を有する高分子で形成されたポリイオンコンプレックスからなり、酸性基がスルホン酸基、カルボキシル基又はリン酸基で、塩基性基が含窒素基です。

熱電変換素子

薄膜のＰ型熱電素子と薄膜のＮ型熱電素子とでなる熱電変換モジュールの両面に、２種類以上の熱伝導率の異なる柔軟性を有したフィルム状基板を設け、前記基板の外面の一部分に熱伝導率の高い材料が位置するように構成します。

ポリフルオロベンゾキノン類の製造方法

ポリフルオロベンゼンを、（式中、Ｒ１は水素原子、ハロゲン原子、又はＯＲ２を表し、Ｒ２は炭素数１～５のアルキル基を表す。）トリフルオロ酢酸とハロゲン化炭化水素（例えば、塩化メチレン）との混合溶媒中にて陽極酸化することでポリフルオロベンキノン類を製造できます。

無接触搬送装置

搬送路（コンベア）に沿って配設した弾性振動板に超音波振動を与えて撓み進行波を励起させると共に、搬送品下方の流体圧浮揚手段から流体圧力を放出して搬送路上の搬送品を浮揚させ前記搬送品を所定方向へ搬送することができます。

硬質窒化炭素膜の形成方法

シアン化合物を含む原料ガスをプラズマ化することにより活性化し、基板上に窒化炭素膜を形成する際に、パルス周期が0.1～100000秒の高周波パルスをon／off比50／50～80／20で印加して硬質窒化炭素膜を形成します。 なお、印加する高周波パルスのバイアス電圧は－50～－200Vが好適です。

表面に有機物被膜を形成した金属超微粒子の製造方法

有機物を塗布した金属細線に0.1～50μｓの間パルス電流を通電し、発生した蒸気を不活性気体中で凝結させることによって平均粒径が5～100nmで表面に有機物被膜を形成した金属超微粒子を製造します。

精密配向多結晶六方晶酸化亜鉛焼結体の製造方法

非強磁性体セラミックス結晶粒子を溶媒に分散させ、得られたスラリーに回転磁場を印加して非強磁性体粒子を配向させた後乾燥固化させて成形体を作製する。 次いで、得られた成形体を酸素含有雰囲気中で焼結化させます。これにより、それぞれの配向度を示すロットゲーリングファクターが0.05～0.99の精密配向多結晶セラミックス焼結体が作製できます。

振動加工機に用いられる可視化装置

振動発生装置の振動周期に同期して極短時間発光する光源からの光を、光ファイバーで集めて加工部分を映像化します。

高硬度材料

高硬度材料の組成として、硬質被膜中のマグネシウムの含有量が、硬質被膜を形成する金属元素を基準として30～50原子％で、マグネシウム原子対酸素原子の比が約1：0.3～1：0.8としたもので、基材表面に、マグネシウム及び酸素を含有するＣｒＮ型の窒化クロムからなる岩塩型結晶構造を形成しており、その硬度はビッカース硬さで3000～3900Hvの硬質被膜を形成しています。

酸素センサ

この発明は、線材の両端に電源を設け、この線材に流れる電流を測定する電流計を設けた酸素センサで、前記線材には同一の希土類元素Lnを含むLnBa2Cu3O7-δとLn2BaCuO5を混合した複合セラミックスの線材を用いたものです。

ガラス材料の加工方法

特定のガラス形成酸化物と、アルカリ金属、アルカリ土類金属、遷移元素及び希土類元素中少なくも１種とを含有するガラス母体に、チタン、鉄、ニッケル、コバルト、マンガン、バナジウム、銅のうちの少なくとも１種を添加したガラスの表面または内部に局所的な異質層を形成した後、エッチング剤により前記異質層又は該異質層の周囲部分を除去する加工方法です。

スパッターターゲット、スパッター装置、スパッター方法及び多層膜

主ターゲットと、該主ターゲット上に補助ターゲットを載置すると共に、前記補助ターゲットは、添加材料と、この添加材料を主ターゲットから離間させるため、上面が開口した容器状の離間手段を用います。

平面伸長粘度測定方法及び平面伸長粘度測定装置

粘度測定対象の流体が入った容器中に、底面部が幅狭の砲弾型ボブを該底面部から押し込んでゆき、このときに前記砲弾型ボブが受ける反力Ｆを測定し、この反力Ｆとユーザが入力した各条件とを用いて所定の計算式に基づきコンピュータで演算処理をして解析します。 これにより、高粘度の非ニュートン流体の他、固形状に形成し難い低粘度の非ニュートン流体の平面伸張粘度を解析することができます。

超音波を用いた温度測定方法

被測定媒体の一側面の上面から超音波パルスを入射し、該媒体の他側面の底面に前記媒体と温度の異なる熱源を配置し反射した超音波パルスエコーの伝播速度を測定し、その内部の温度分布と共に熱源との接触面の温度を推定する。 この場合、被測定媒体中の一定距離を伝播する超音波の伝播時間と該媒体の温度に対する超音波の速度のデータや温度伝導率などの既知のデータが用いられます。

有機物センサー用素子の製造方法

有機物センサー用素子を、かさ密度が45－80％で、Ni及びOを含む粒子の焼結体又は薄膜により構成します。 また、この有機物センサー素子を使用することによって、沸点が110～500℃の温度範囲で、高分子量の有機物を高温環境下で測定することができます。

カルボニル基に対する水素化用触媒、及びその製造方法、並びに該触媒を使用する不飽和アルコールの製造方法

この発明は、酸素を含有するガリウム化合物からなる担体上に触媒成分としてルテニウム等の貴金属を担持して水素化用触媒を構成します。 この場合、ガリウム化合物としては、オキシ水酸化ガリウム、酸化ガリウム、リン酸ガリウム等を用することができ、これらのガリウム化合物担体上に0.1～10wt%のルテニウムが担持された水素化用触媒を用います。

光による水分解触媒及びその製造方法

亜鉛、マグネシウム、ベリリウムから選択された金属原子を添加したｐ型窒化ガリウム又はｐ型窒化ガリウムインジウムに、酸化ルテニウム、酸化ニッケル、酸化コバルト、酸化鉄、酸化クロム、酸化ロジウム、酸化イリジウムから選択された助触媒を担持して合成します。

リチウム二次電池正極材料及びその製造方法

所定割合のLi2Oと、Fe2O3と、P2O5と、さらにMgO、TiO2、V2O5、MnO2、Co3O4、NiO、Nb2O5、MoO3、WO3及び希土類酸化物から選ばれる少なくとも1種の原料を所定割合で混合し、これを溶融、冷却して前駆体ガラスを作製します。 そして、ガラス転移温度またはそれ以上の温度で熱処理、又はレーザ照射で加熱することによりNASICON型、オリビン型、スピネル型及びこれらの固溶体からなるリチウム二次電池正極材料を得ます。

水分解用光触媒、並びに該光触媒の製造方法

従来は、水を水素と酸素に完全分解できるような高い光触媒機能を持つ触媒はありませんでしたが、本発明では酸化セリウムに、カルシウム、ストロンチウム、イットリウム、ランタンからなる群から選択された異種元素を添加し、さらに助触媒として酸化ルテニウム又は白金を担持することにより、従来より高い光触媒機能を有する光触媒となります。

研削砥石の製造方法

合金からなる基材を酸化して基材内部に金属酸化物からなる研削材を形成する内部酸化工程と、前記研削材周辺に存在する前記基材の少なくとも一部を研磨することにより除去して前記研削材を基材表面に突出させる研磨工程とにより、従来のように研削材を基材に固着するための結合剤を用いることなく当該研削材を基材に強固に固着します。

磁性半導体薄膜及び磁性半導体薄膜の製造方法

加熱した基板上に緩衝層を形成した後、この緩衝層上に磁性半導体層として遷移金属元素を添加したZnSnAs2をエピタキシャル成長させて磁性半導体薄膜を形成します。 また、使用する基板としては、半導体プロセス用として特にInP、Si、GaAsのいずれかを含む基板が好ましく、これによりZnSnAs2のエピタキシャル成長が好適に行われます。

製氷装置

水を満たした容器の周囲を断熱材で覆うと共に、この容器の開口部を真空槽で覆い、さらにこの容器と反対側の真空槽の外面に氷結温度以下の低温熱源を設け、この真空槽を介して放射により容器内の水を氷結させて単結晶の氷を製氷します。

膜電極接合体及び膜電極接合体の製造方法並びに固体高分子形燃料電池

平坦な台座上に電子伝導性材料からなる基板を載置し、その上に電解質膜を載置し、この状態で噴霧液吐出用のノズルから電解質膜に向けて噴霧液を噴霧します。 これにより、電解質膜のイオン伝導ドメインに対応する表面部位には電極触媒が施されます。

超音波計測導波棒と超音波計測装置

軸方向の一端部に送受信子が設けられ、その他端部には試験体に接触する接触面を形成すると共に、軸方向と直交する導波棒の断面形状を、そのいずれか一辺と他の全ての辺とが平行でない多角形状に形成します。

電極及びその製造方法

電極触媒として、金属及び溶媒を含む噴霧液を静電噴霧法によってガス拡散電極に直接噴霧して、この電極の一面に電極触媒を付着させる技術です。

表面粗さ評価方法

評価対象物の表面に空気超音波送信子からのパルス超音波を入射して、この表面で反射するパルス超音波のコヒーレント成分を検出し、このコヒーレント成分の強度を鏡面反射におけるコヒーレント成分の強度で除して正規化した値と、前記パルス超音波の周波数（ｆ）とから、演算装置（パソコン）によって評価対象物の表面凹凸の高さ方向情報を定量的に評価します。 また、反射波の非コヒーレント成分を活用することで表面凹凸の横方向情報を定量的に評価します。

溶液プラズマ反応装置及び該装置を使用したナノ材料の製造方法

特殊形状の高周波電極を使用したプラズマ発生装置を使い、プラズマを反応槽に導入することで、ナノ粒子からなる被膜を反応液中の基板表面に製造します。

超音波を用いた温度測定方法

温度分布をもつ媒体の表面に接触式または非接触式の超音波検出手段を単数または複数設置し、当該媒体の所望の領域において超音波の励起点のみを移動させて、それぞれの前記励起点と前記検出点との間の超音波の伝播時間を算出し、媒体の前記二次元又は三次元温度分布を算出します。 なお、前記温度分布の算出は、所定の関係式と前記超音波の伝播時間を用いて前記励起点の各点と検出点との間の一次元温度分布を順次場所を変えて得ることで、その領域内の温度分布を内挿することにより求めます。

リチウムイオン二次電池用正極材料およびその製造方法

メタリン酸リチウム（リンとリチウムとの複合酸化物）と遷移金属化合物を原料として、所定のモル比で調合した後、還元雰囲気下又は還元剤を添加した状態で600～700℃にて焼成します。 これにより、オリビン型LiMPO4結晶（M=Fe, Mn, Co, Ni）の結晶化ガラス粉末を得ることができます。 この合成プロセスでは電子伝導性を向上させる導電助剤を効率よく複合化できるため、熱安定性に優れながら導電性の高いリチウムイオン二次電池正極材料を得ることができます。

蛋白質フリー天然ゴム及びそのラテックスとそれらの製造方法

天然ゴムラテックスに蛋白質変性剤、界面活性剤および極性有機溶媒を添加し、当該ラテックス中のアレルゲン性蛋白質を変性処理した後に除去します。 この方法により、ＲＲＩＭ試験法で測定した窒素含有率は０．００１％以下、改良ローリー法で測定した天然ゴムラテックスを乾燥して得られる固形ゴム中の蛋白質量は、０．５μｇ／ｇ以下のレベルの蛋白質フリー天然ゴムラテックスが得られます。

有機半導体素子

第一電極と第二電極と、炭素ナノ構造体を含有した有機半導体層を有し、有機半導体層の有機半導体がトリフェニルアミン誘導体であり、第一電極と第二電極のいずれか一つの電極と有機半導体層の間に、炭素ナノ構造体の含有量が０．６５重量パーセント未満である第二の有機半導体層を有し、第二電極は第一電極に対向し有機半導体層を介して積層され、かつ、第一電極と第二電極が互いに直接接触しないよう設けてなり、炭素ナノ構造体がＣ７０よりも大きい分子サイズである有機半導体素子。

微生物担体及び廃液処理方法

本発明の一観点に係る実施形態の微生物担体は、基材と、基材に含有された粒子状の導電性物質と、を備えたものである。 また、本発明の他の一観点に係る廃液処理方法は、有機物を含む廃液に、基材と基材に含有された粒子状の導電性物質とを備えた微生物担体を添加する工程と、廃液中の微生物担体量を一定範囲内に維持し、廃液中の前記有機物の分解を促進する工程と、を備えるものである。

製氷方法および製氷装置

本発明の一の観点に係る製氷方法は、原料液を大気に触れながら静置状態で温める工程と、温められた原料液を密閉状態で予冷する工程と、予冷された原料液を製氷装置で凍らせる製氷方法であって、製氷装置は、上部に開口部を有する容器と、開口部を覆う冷却槽と冷却槽の上面又は内部に設けられた放射冷却装置と、容器の内部と連通する緩衝容器とを備え、容器の上縁に載置された冷却槽の下板に接するまで充填された容器内の前記原料液を単結晶氷に氷結することを特徴とするものである。 また、本発明の他の一観点に係る製氷装置は、上部に開口部を有し原料液が充填された容器と、開口部を覆い、容器の上縁に載置された冷却槽と、冷却槽の上面又は内部に設けられた冷却装置と、容器の内部と連通する緩衝容器とを備え、冷却層は容器に充填された原料液に当接する下板を有し、原料液は大気に触れながら静置状態で温めたときの平衡状態となる溶存ガス濃度を維持する液であることを特徴とするものである。

光線走査広角化システム

本発明の一観点に係る光線広角化システムは、光源と、ビームステアリング素子と、光源とビームステアリング素子との間に配置された偏光制御素子と、光源から発せられる光線がビームステアリング素子を経由して入射可能に配置された偏光回折素子とを備え、該偏光回折素子は、局所的な格子周期を有し、且つ、光線の振れ角がビームステアリング素子が与える振れ角より増加させる機能を有し、且つ、該偏光回折素子の面と並行に離れた空間平面における光線の走査速度が一定となる機能を有するものである。 本観点において、偏光回折素子は光線がビームステアリング素子から直接入射可能な位置に配置されることが好ましい。 また、本観点において、偏光回折素子が有する局所的な格子周期は、偏光回折素子の面内において１次元的又は２次元的に規則性を有し形成された光学軸方位の分布であることが好ましい。